买卖IC网 >> 产品目录 >> IPS06N03LZG MOSFET N-KANAL POWER MOS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

IPS06N03LZG

库存数量:可订货
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET N-KANAL POWER MOS
制造商 Infineon Technologies
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 25 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 0.0051 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 175 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-251
封装 Tube
相关资料
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电话
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳市一线半导体有限公司 0755-83789203 谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市一线半导体有限公司 0755-83789203 谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市澳亿芯电子科技有限公司 13163738578 廖R
深圳市佳鑫特电子有限公司 13410505652
深圳市一线半导体有限公司 0755-83789203 谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市荣泽信电子科技有限公司 18028731859 荣泽信-晏S
  • IPS06N03LZG 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价